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RB160L-60_1

更新时间： 2024-09-29 03:37:55

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	182K
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Schottky barrier diode

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RB160L-60_1 数据手册

RB160L-60

Diodes

Schottky barrier diode

RB160L-60

zApplications

z External dimensions (Unit : mm)

z Land size figure (Unit : mm)

General rectification

2.0

2.6±0.2

zFeatures

1) Small power mold type. (PMDS)

2) Low I_R.

3) High reliability.

0.1±0.02

ꢀꢀꢀ 0.1

①

②

PMDS

2.0±0.2

1.5±0.2

zStructure

zConstruction

Silicon epitaxial planar

ROHM : PMDS

JEDEC : SOD-106

①

②

Manufacture Date

z Taping specifications (Unit : mm)

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3

φ1.55±0.05

φ1.55

2.9±0.1

4.0±0.1

2.8MAX

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak 60Hz 1cyc

）

I_FSM

（

・

Junction temperature

Storage temperature

125

℃

-40 to +125

Tstg

(*1) Mounted on epoxy board. 180 Half sine wave

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

V_F

I_R

0.58

I_F=1.0A

V_R=60V

Rev.B

1/3

12 3 4

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