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RB160L-60TF

更新时间： 2024-11-21 20:10:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 769K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, PMDS, 2 PIN

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RB160L-60TF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.74其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-C2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：60 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

RB160L-60TF 数据手册

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Data Sheet  
AEC-Q101 Qualified  
Schottky barrier diode  
RB160L-60TF  
Land size figure (Unit : mm)  
Applications  
Dimensions (Unit : mm)  
General rectification  
2.0  
2.6±0.2  
Features  
1) Small power mold type. (PMDS)  
2) Low IR.  
4
4
0.1±0.02  
ꢀꢀꢀ 0.1  
3) High reliability  
①
②
PMDS  
2.0±0.2  
1.5±0.2  
Structure  
Construction  
Silicon epitaxial planar  
ROHM : PMDS  
JEDEC : SOD-106  
①
②
Manufacture Date  
Taping specifications (Unit : mm)  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3  
φ1.55±0.05  
φ1.55  
2.9±0.1  
4.0±0.1  
2.8MAX  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
60  
60  
V
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak (60Hz/1cyc)  
Junction temperature  
1
30  
Io  
A
IFSM  
Tj  
A
150  
C  
C  
Storage temperature  
40 to 125  
Tstg  
(*1) Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave  
Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Conditions  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.58  
1
Unit  
V
VF  
IR  
-
-
-
-
IF=1.0A  
VR=60V  
Reverse current  
mA  
www.rohm.com  
2011.04 - Rev.D  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/3  
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