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RB095B-30

更新时间: 2024-09-26 21:53:47
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罗姆 - ROHM 整流二极管肖特基二极管
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4页 255K
描述
Schottky barrier diode

RB095B-30 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-63
包装说明:R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.73
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.425 VJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:35 A元件数量:2
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:6 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:35 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

RB095B-30 数据手册

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RB095B-30  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB095B-30  
zApplications  
General rectification  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure  
6.5±0.2  
5.1±0.2  
ꢀꢀꢀ 0.1  
2.3±0.2  
ꢀꢀꢀ 0.1  
6.0  
0.5±0.1  
0.05  
zFeatures  
1) Power mold type. (CPD)  
1.6  
1.6  
1.5  
1.2  
0.8  
0.75  
2) Low V  
F
0.9  
(2)  
0.65±0.1  
(3)  
0.55±0.1  
ꢀꢀꢀꢀ 0.55  
1.2±0.2  
(1)  
3) High reliability  
2.3±0.2 2.3±0.2  
2.2  
CPD  
2.3 2.3  
0.5  
2.0  
2-R0.3  
zConstruction  
zStructure  
R0.45  
(1)  
(2)  
(3)  
Silicon epitaxial planar  
ROHM : CPD  
JEITA : SC-63  
0.5  
0.95  
24.5  
Manufacture Date  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
2.0±0.05  
φ1.55±0.1  
0
4.0±0.1  
8.0±0.1  
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
0.4±0.1  
φ3.0±0.1  
6.8±0.1  
8.0±0.1  
2.7±0.2  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
35  
30  
V
Average rectified forward current *1  
6
35  
Io  
A
Forward current surge peak 60Hz 1cyc *1  
)( )  
IFSM  
Tj  
A
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
-40 to +150  
Tstg  
(*1) Per chip : Io/2  
zElectrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
Forward voltage  
VF  
IR  
-
-
-
-
-
-
0.425  
200  
IF=3.0A  
VR=30V  
junction to case  
Reverse current  
µA  
θjc  
/W  
Thermal impedance  
6.0  
Rev.A  
1/3  

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