RB095B-60FH

更新时间： 2024-01-21 18:53:22

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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RB095B-60FH 数据手册

RB095B-60

Diodes

Schottky barrier diode

RB095B-60

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure

6.0

General rectification

6.5±0.2

5.1±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

2.3±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

0.5±0.1

zFeatures

C0.5

1) Power mold type. (CPD3)

1.6

2) Low V

3) High reliability

①

CPD

2.3 2.3

0.75

0.9

（2）

zConstruction

0.65±0.1

zStructure

（3）

0.5±0.1

1.0±0.2

（1）

Silicon epitaxial planar

2.3±0.2 2.3±0.2

ROHM : CPD

JEITA : SC-63

①

Manufacture Date

zTaping dimensions (Unit : mm)

2.0±0.05

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

4.0±0.1

8.0±0.1

0.4±0.1

φ3.0±0.1

6.8±0.1

8.0±0.1

2.7±0.2

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）（*1）

Junction temperature

Storage temperature

I_FSM

150

-40 to +150

℃

Tstg

(*1) Rating of per diode : Io/2

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Thermal impedance

Conditions

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

Unit

0.58

300

6.0

I_F=3.0A

V_R=60V

I_R

µA

θjc

℃/W junction to case

Rev.B

1/3

12 3 4

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