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RB095B-60_11

更新时间： 2024-02-27 05:44:22

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky Barrier Diode

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RB095B-60_11 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB095B-60

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure(Unit : mm)

6.0

General rectification

Features

1.6

1) Power mold type. (CPD3)

2) Low V_F

3) High reliability

CPD

2.3 2.3

Construction

Structure

(2)

Silicon epitaxial planar

(1) (3)

Taping dimensions(Unit : mm)

2.0±0.05

φ1.55±0.1

4.0±0.1

8.0±0.1

0.4±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

φ3.0±0.1

6.8±0.1

8.0±0.1

2.7±0.2

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

V_RM

V_R

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak(60Hz・1cyc)(*1)

Junction temperature

150

I_FSM

C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1) Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Tc=112C

Electrical characteristic (Ta=25C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

0.58

300

6.0

Unit

Forward voltage

Reverse current

I_F=3.0A

V_R=60V

I_R

μA

Thermal impedance

junction to case

jc

C/W

www.rohm.com

2011.04 - Rev.G

1/3

12 3 4

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