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RB095B-40

更新时间: 2024-02-09 15:58:31
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罗姆 - ROHM 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 190K
描述
Schottky barrier diode (Silicon Epitaxial Planer)

RB095B-40 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
包装说明:R-PSSO-G2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.74其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:GENERAL PURPOSE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.55 VJESD-30 代码:R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流:45 A元件数量:2
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:45 V
最大反向电流:100 µA表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RB095B-40 数据手册

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RB095B-40  
Diodes  
Schottky barrier diode  
(Silicon Epitaxial Planer)  
RB095B-40  
zApplications  
General rectification  
(Common cathode dual chip)  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
5.1±0.2  
zLand size figure  
6.5±0.2  
2.3±0.2  
ꢀꢀꢀ 0.1  
6.0  
ꢀꢀꢀ 0.1  
0.5±0.1  
0.05  
1.6  
1.6  
1.5  
zFeatures  
1.2  
0.75  
0.8  
0.9  
0.65±0.1  
(2)  
(3)  
0.55±0.1  
ꢀꢀꢀꢀ 0.55  
1.2±0.2  
(1)  
1) Power mold (CPD3)  
2) High reliability  
2.3±0.2 2.3±0.2  
CPD  
2.3 2.3  
2.2  
0.5  
2.0  
2-R0.3  
3) Low V  
F
& Low I  
R
zStructure  
R0.45  
(1)  
(2)  
(3)  
0.5  
ROHM : CPD  
0.95  
24.5  
JEITA : SC-63  
ManufactureDate  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
2.0±0.05  
φ1.55±0.1  
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
4.0±0.1  
8.0±0.1  
0
0.4±0.1  
φ3.0±0.1  
6.8±0.1  
8.0±0.1  
2.7±0.2  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
V
RM  
45  
V
R
40  
V
Average rectified forward current  
I
O
6
45  
A
Forward current surge peak (60Hz 1cyc.)  
Junction temperature  
I
FSM  
A
Tj  
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
40 to +150  
Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 lo per diode, Tc=120°C  
zElectrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.55  
0.1  
Unit  
Conditions  
V
F
V
I
F
=3.0A  
=40V  
junction to case  
Reverse current  
I
R
mA  
V
R
Thermal impedance  
θ
jc  
6.0  
°C/W  
Rev.A  
1/3  

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