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RB051L-40_11

更新时间： 2024-02-23 13:56:37

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	978K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB051L-40_11 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB051L-40

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification

2.0

2.6±0.2

Features

1)Small power mold type.（PMDS）

2)Low VF

0.1±0.02

ꢀꢀꢀ 0.1

①

②

3)High reliability

PMDS

2.0±0.2

1.5±0.2

Construction

Silicon epitaxial planar

Structure

ROHM : PMDS

JEDEC : SOD-106

①

②

Manufacture Date

Taping specifications(Unit : mm)

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3

φ1.55±0.05

φ1.55

2.9±0.1

4.0±0.1

2.8MAX

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

V_R

Average rectified forwarfd current

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

I_FSM

125

°C

Storage temperature

40 to 125

Tstg

(*1) Mounted on epoxyboard. 180°Half sine wave

Electrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

0.35

0.45

Unit

Conditions

I_F=1.0A

I_F=3.0A

V_R=20V

V_R=15V

Forward voltage

V_F2

I_R1

μA

Reverse current

I_R2

150

www.rohm.com

1/3

2011.04 - Rev.B

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