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RA46

更新时间： 2024-09-13 03:38:15

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泰科 - TE		放大器射频微波
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2页	455K
描述
Cascadable Amplifier 1000 to 4000 MHz

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RA46 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE, I/P POWER-MAX (PEAK)=24DBM
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	23.5 dB	最大输入功率 (CW)：	7 dBm
最大工作频率：	4000 MHz	最小工作频率：	1000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-54 °C
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	最大电压驻波比：	2.1
Base Number Matches：	1

RA46 数据手册

Cascadable Amplifier

1 0 0 0 to 4 0 0 0 M H z

R A4 6 /S M R A4 6

V 2

Features

Product Image

ULTRAW IDE BANDW IDTH: 0.8-4.2 GHz (TYP.)

HIGH GAIN: 25.5 dB (TYP.)

HIGH OUTPUT POW ER: +19.0 dBm (TYP.)

LOW NOISE: 4.5 dB (TYP.)

Description

The RA46 RF amplifier is a discrete hybrid design, which uses

thin film manufacturing processes for accurate performance

and high reliability.

This two stage GaAs FET feedback amplifier design displays

impressive performance characteristics over a broadband

frequency range. Both TO-8B and Surface Mount packages

are hermetically sealed, and MIL-STD-883 environmental screen-

ing is available

available for the TO-8B module.

. An SMA connectorized self assembly kit is also

Ordering Information

Part Number

Package

RA46

TO-8B

SMRA46

Surface Mount

Electrical Specifications: Z₀= 50W, V_CC= +12 V_DC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Absolute

Maximum

Typical

25ºC

0.8-4.2

25.5

Guaranteed

Parameter

Units

0º to 50ºC -54º to +85ºC*

Storage Temperature

Case Temperature

DC Voltage

-62ºC to +125ºC

85ºC

Frequency

GHz

1.0-4.0

24.0

1.0-4.0

23.5

+13 V

Small Signal Gain (min)

Gain Flatness (max)

Reverse Isolation

Continuous Input Power

+7 dBm

±0.5

±0.8

±1.0

Short Term Input power

(1 minute max.)

100 mW

0.25 W

85ºC

Peak Power (3 µsec max.)

Noise Figure (max)

4.5

5.2

5.7

—S“ Series Burn-In

Temperature (case)

Power Output

@ 1 dB comp. (min)

dBm

19.0

17.0

16.5

Thermal Data: V_CC= +12 V_DC

IP3

dBm

+30

+50

+55

Parameter

Rating

IP2

Thermal Resistance ꢀ_jc

146ºC/W

0.49 W

Second Order Harmonic IP

VSW R Input / Output (max)

DC Current @ 12 Volts (max)

Transistor Power Dissipation P_d

1.6:1 / 1.5:1 2.0:1 / 2.0:1

175 185

2.1:1 / 2.1:1

190

Junction Temperature Rise

Above Case T_jc

72ºC

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