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R6504ENX

更新时间： 2024-01-05 12:46:00

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罗姆 - ROHM		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	1878K
描述
R6504ENX是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。

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R6504ENX 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	34.8 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	650 V
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	1.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

R6504ENX 数据手册

R6504ENX

ꢀꢀNch 650V 4A Power MOSFET

Datasheet

ꢀꢀ

llOutline

ꢀ

V_DSS

650V

1.050Ω

±4.0A

40W

R_DS(on)(Max.)

TO-220FM

I_D

ꢀ

P_D

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

llInner circuit

llFeatures

1) Low on-resistance

2) Fast switching

3) Parallel use is easy

4) Pb-free plating ; RoHS compliant

llPackaging specifications

Code

Packing

Tube

C7 G

llApplication

Tube*

Bulk*

Switching

- (Blank)

*Package dimensions are different

llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)

Parameter

Drain - Source voltage

Symbol

Value

650

Unit

V_DSS

I_D

Continuous drain current

Pulsed drain current

±4.0

I_DP

±12

static

±20

V_GSS

I_AS

Gate - Source voltage

AC(f＞1Hz)

±30

Avalanche current, single pulse

Avalanche energy, single pulse

Power dissipation (T_c= 25°C)

0.8

E_AS

34.8

℃

P_D

T_j

Junction temperature

150

T_stg

Operating junction and storage temperature range

-55 to +150

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

ꢀ ꢀ

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20200203 - Rev.003

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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