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R325CH08FJ

更新时间: 2024-11-18 19:53:15
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 175K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element

R325CH08FJ 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-MEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:300 mAJESD-30 代码:O-MEDB-N2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:2398 A断态重复峰值电压:800 V
重复峰值反向电压:800 V表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

R325CH08FJ 数据手册

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