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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 标称电路换相断开时间： | 35 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 20 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 300 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1852.6 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 150000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 1000 V | 重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R325CH10CH0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),1.52KA I(T),TO-200AC |
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| R325CH10CH2 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1000 V, SCR |
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| R325CH10CH3 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element |
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| R325CH10CH4 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1000 V, SCR |
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| R325CH10CH5 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1000 V, SCR |
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| R325CH10CH6 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1000 V, SCR |
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| R325CH10CH7 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 892000mA I(T), 1000V V(DRM), 700V V(RRM), 1 E |
|
| R325CH10CH8 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element |
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| R325CH10CH9 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1000 V, SCR |
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| R325CH10CHO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1852.6 A, 1000 V, SCR |
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