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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.12 | 标称电路换相断开时间： | 20 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 300 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 1000 mA |
| 最大漏电流： | 100 mA | 通态非重复峰值电流： | 17000 A |
| 最大通态电压： | 2.2 V | 最大通态电流： | 1520000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R325CH10C2K0 | IXYS |
获取价格 |
Assymetric SCR, 1520000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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| R325CH10C2K2 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| R325CH10C2K4 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1000 V, SCR |
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| R325CH10C2K5 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1000 V, SCR |
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| R325CH10C2K6 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
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| R325CH10C2K7 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1000 V, SCR |
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| R325CH10C2K9 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1000 V, SCR |
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| R325CH10CG0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),1.52KA I(T),TO-200AC |
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| R325CH10CG5 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1000 V, SCR |
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| R325CH10CG6 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1000 V, SCR |
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