5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 4466.65 A |
| 断态重复峰值电压： | 1200 V | 重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R1988CH12D6HO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4466.65 A, 1200 V, SCR |
|
| R1988CH12D8KO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4466.65A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
|
| R1988CH12DDO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4466.65 A, 1200 V, SCR |
|
| R1988CH12DEO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4466.65A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
|
| R1988CH12E2DO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4466.65A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
|
| R1988CH12E4GO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4466.65 A, 1200 V, SCR |
|
| R1988CH12E4HO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4466.65A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
|
| R1988CH12E8KO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4466.65A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
|
| R1988CH12EDO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4466.65 A, 1200 V, SCR |
|
| R1988CH12EEO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4466.65 A, 1200 V, SCR |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
