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QSC113C6R0

更新时间： 2024-11-06 20:01:31

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
4页	104K
描述
Photo Transistor, 880nm

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QSC113C6R0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	最大暗电源：	100 nA
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	峰值波长：	880 nm
最大功率耗散：	0.1 W	子类别：	Photo Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

QSC113C6R0 数据手册

PLASTIC SILICON INFRARED

PHOTOTRANSISTOR

QSC112 QSC113 QSC114

PACKAGE DIMENSIONS

0.116 (2.95)

REFERENCE

SURFACE

0.193 (4.90)

0.052 (1.32)

0.032 (0.082)

0.030 (0.76)

NOM

0.800 (20.3)

MIN

0.050 (1.27)

EMITTER

SCHEMATIC

0.100 (2.54)

NOM

COLLECTOR

0.155 (3.94)

0.018 (0.46)

SQ. (2X)

NOTES:

1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).

2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions

unless otherwise specified.

EMITTER

DESCRIPTION

The QSC112/113/114 is a silicon phototransistor encapsulated in an infrared transparent, black T-1 package.

FEATURES

• Tight production distribution.

• Steel lead frames for improved reliability in solder mounting.

• Good optical-to-mechanical alignment.

• Plastic package is infrared transparent black to attenuate visible light.

• Mechanically and spectrally matched to the QECXXX LED.

• Black plastic body allows easy recognition from LED.

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

DS300358

7/09/01

1 OF 4

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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