5秒后页面跳转
QSC114 PDF预览

QSC114

更新时间: 2024-11-05 22:25:11
品牌 Logo 应用领域
QT 晶体光电晶体管光电晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 159K
描述
PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR

QSC114 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:30 V配置:SINGLE
最大暗电源:100 nA红外线范围:YES
JESD-609代码:e0标称光电流:4 mA
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT功能数量:1
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-40 °C
光电设备类型:PHOTO TRANSISTOR峰值波长:880 nm
最大功率耗散:0.1 W最长响应时间:0.000007 s
形状:ROUND尺寸:3 mm
子类别:Photo Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

QSC114 数据手册

 浏览型号QSC114的Datasheet PDF文件第2页 

与QSC114相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
QSC114.C4A0 FAIRCHILD

获取价格

Photo Transistor
QSC114.C4R0 QT

获取价格

Photo Transistor,
QSC114.C6A0 QT

获取价格

Photo Transistor,
QSC114.C6R0 FAIRCHILD

获取价格

Photo Transistor
QSC133 QT

获取价格

PLASTIC SILICON PHOTODARLINGTON
QSC133.C4A0 QT

获取价格

Photo Darlington,
QSC133.C4A0 FAIRCHILD

获取价格

Photo Darlington
QSC133.C4R0 FAIRCHILD

获取价格

Photo Darlington
QSC133.C4R0 QT

获取价格

Photo Darlington,
QSC133.C6A0 QT

获取价格

Photo Darlington,