5秒后页面跳转
QSB363.ZR PDF预览

QSB363.ZR

更新时间: 2024-09-18 15:48:55
品牌 Logo 应用领域
QT 光电
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
Photo Transistor,

QSB363.ZR 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.58Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:30 V
配置:SINGLE最大暗电源:100 nA
标称光电流:0.7 mA功能数量:1
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
光电设备类型:PHOTO TRANSISTOR形状:ROUND
尺寸:1.9 mmBase Number Matches:1

QSB363.ZR 数据手册

  

与QSB363.ZR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
QSB363_05 FAIRCHILD

获取价格

Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor
QSB363C FAIRCHILD

获取价格

SUBMINIATURE PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
QSB363C.YR FAIRCHILD

获取价格

Photo Transistor, 940nm, PLASTIC PACKAGE-2
QSB363C.ZR FAIRCHILD

获取价格

Photo Transistor, PHOTO TRANSISTOR DETECTOR, PLASTIC PACKAGE-2
QSB363C_05 FAIRCHILD

获取价格

Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor
QSB363CGR FAIRCHILD

获取价格

Photo Transistor, 940nm, PLASTIC PACKAGE-2
QSB363CYR FAIRCHILD

获取价格

Photo Transistor, 940nm, PLASTIC PACKAGE-2
QSB363CZR FAIRCHILD

获取价格

Photo Transistor, 940nm, PLASTIC PACKAGE-2
QSB363GR FAIRCHILD

获取价格

Photo Transistor, 940nm, PLASTIC PACKAGE-2
QSB363GR ONSEMI

获取价格

超小型塑料硅红外光电晶体管