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QPD1025LEVB1 PDF预览

QPD1025LEVB1

更新时间： 2022-02-26 12:34:24
品牌 Logo 应用领域
TRIQUINT /
页数 文件大小 规格书
18页 1438K
描述
1500 W, 65 V, 1.0 – 1.1 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor

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QPD1025LEVB1 数据手册

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QPD1025L  
1500 W, 65 V, 1.0 – 1.1 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor  
Power Driveup Performance over Temperatures of 1.0 – 1.1 GHz EVB 1  
Notes:  
1. Test Conditions: VD = 65 V, IDQ = 1.5 A, 100 us Pulse Width, 10% Duty Cycle.  
Datasheet Rev. B │ Subject to change without notice  
www.qorvo.com  
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与QPD1025LEVB1相关器件

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