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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 | 针数： | 18 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.88 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 70 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T18 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 22.86 mm | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 4096 words |
| 字数代码： | 4000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.16 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | NMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| QD2147H-1 | INTEL |
获取价格 |
RAM FAMIRLY EXPRESS |
|
| QD2147H-2 | INTEL |
获取价格 |
RAM FAMIRLY EXPRESS |
|
| QD2147H-3 | INTEL |
获取价格 |
RAM FAMIRLY EXPRESS |
|
| QD2147HL | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX1, 70ns, NMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-18 |
|
| QD2147HL3 | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX1, 55ns, MOS, CDIP18 |
|
| QD2148H | INTEL |
获取价格 |
RAM FAMIRLY EXPRESS |
|
| QD2148H-2 | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 45ns, NMOS, CDIP18, CERDIP-18 |
|
| QD2148H-3 | INTEL |
获取价格 |
RAM FAMIRLY EXPRESS |
|
| QD2148HL | INTEL |
获取价格 |
RAM FAMIRLY EXPRESS |
|
| QD2148HL-3 | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 55ns, NMOS, CDIP18, CERDIP-18 |
|
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