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QD2148H-2

更新时间: 2024-02-15 23:35:50
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 141K
描述
Standard SRAM, 1KX4, 45ns, NMOS, CDIP18, CERDIP-18

QD2148H-2 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:18
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.8
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNJESD-30 代码:R-GDIP-T18
长度:22.86 mm内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:18字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX4输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

QD2148H-2 数据手册

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