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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.72 |
| 最长访问时间： | 30 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 19.558 mm |
| 内存密度： | 1024 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 75 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | SRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | NMOS | 温度等级： | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| QD2125H-4 | INTEL | Standard SRAM, 1KX1, 35ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-16 |
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| QD2147H | INTEL | RAM FAMIRLY EXPRESS |
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| QD2147H-1 | INTEL | RAM FAMIRLY EXPRESS |
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| QD2147H-2 | INTEL | RAM FAMIRLY EXPRESS |
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| QD2147H-3 | INTEL | RAM FAMIRLY EXPRESS |
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| QD2147HL | INTEL | Standard SRAM, 4KX1, 70ns, NMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-18 |
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