PTZ9.1B

更新时间： 2024-11-14 09:57:51

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SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

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PTZ9.1B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	6 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
参考标准：	TS 16949	标称参考电压：	9.1 V
最大反向电流：	20 µA	反向测试电压：	6 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	电压温度Coeff-Max：	5.9 mV/ °C
最大电压容差：	5.7%	工作测试电流：	40 mA
Base Number Matches：	1

PTZ9.1B 数据手册

TH97/10561QM

TW00/17276EM

IATF 0060636

SGS TH07/1033

SURFACE MOUNT SILICON

ZENER DIODES

PTZ3.6B - PTZ36B

SMA

VZ : 3.6 - 36 Volts

P^D: 1.0 Watts

1.3 ± 0.2

FEATURES :

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

1.6 ± 0.25

* Low leakage current

* Pb / RoHS Free

2.3 ± 0.2

2.6 ± 0.15

1.6 ± 0.25

MECHANICAL DATA :

* Case : SMA Molded plastic

Dimensions in millimeters

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.060 gram (Approximately)

MAXIMUM RATINGS

Rating at25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Rating

Symbol

Value

Unit

P_D

T_J

1.0

150

ºC

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_STG

- 55 to + 150

Fig. 1 POWER TEMPERATURE DERATING CURVE

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

100

125

150

175

AMBIENT TEMPERATURE, Ta (ºC)

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Rev. 04 : September 18, 2008

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