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Nexperia (安世) 更新时间：2024-04-09 19:02:10

Nexperia总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。 Nexperia为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效和满足行业严苛要求的坚定承诺。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

PMEG4002EJ-Q	NEXPERIA	获取价格			40 V, 200 mA low VF Schottky barrier rectifierProduction

PBSS4140DPN-Q	NEXPERIA	获取价格			40 V low VCEsat NPN/PNP transistorProduction

BAV170QA-Q	NEXPERIA	获取价格			Dual common cathode low-leakage diodeProduction

MMBZ10VAT-Q	NEXPERIA	获取价格			Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction

PMEG3020CER-Q	NEXPERIA	获取价格			30 V, 2 A Schottky barrier rectifierProduction

PMBT3946YPN-Q	NEXPERIA	获取价格			40 V, 200 mA NPN/PNP general-purpose double transistorProduction

PMEG6030CER	NEXPERIA	获取价格			60 V, 3 A Schottky barrier rectifierProduction

PESD24VL2BAT-Q	NEXPERIA	获取价格			ESD protection for in-vehicle networksProduction

BUK7S1R2-80M	NEXPERIA	获取价格			N-channel 80 V, 1.2 mOhm, Standard level MOSFET in LFPAK88Development

PDTA115EU-Q	NEXPERIA	获取价格			PNP resistor-equipped transistor; R1 = 100 kΩ

BSS138AKS-Q	NEXPERIA	获取价格			60 V, dual N-channel Trench MOSFETProduction

PBSS4041NT-Q	NEXPERIA	获取价格			60 V, 3.8 A NPN low VCEsat transistorProduction

BST50-Q	NEXPERIA	获取价格			NPN Darlington transistorProduction

NXT4559UP	NEXPERIA	获取价格			SIM card interface level translatorProduction

PBSS4021PX-Q	NEXPERIA	获取价格			20 V, 6.2 A PNP low VCEsat transistorProduction

MMBZ12VA-T	NEXPERIA	获取价格			Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction

PBSS303NX-Q	NEXPERIA	获取价格			30 V, 5.1 A NPN low VCEsat transistorProduction

PESD3V3C2UM	NEXPERIA	获取价格			Extremely low capacitance unidirectional ESD protection diode arrayProduction

PESD2CANFD33UQB-Q	NEXPERIA	获取价格			Extremely low clamping bidirectional ESD protection diodeQualification

PMDXB590UPE	NEXPERIA	获取价格			20 V, dual P-channel Trench MOSFETProduction

PMBT6429-Q	NEXPERIA	获取价格			45 V, 100 mA NPN general purpose transistorProduction

PBSS303PD-Q	NEXPERIA	获取价格			60 V, 3 A PNP low VCEsat transistorProduction

PMEG4030EXE-Q	NEXPERIA	获取价格			40 V, 3 A Schottky barrier rectifierProduction

PMEG4010EXE-Q	NEXPERIA	获取价格			40 V, 1 A Schottky barrier rectifierProduction

PESD2CANFD36VQC-Q	NEXPERIA	获取价格			Extremely low clamping bidirectional ESD protection diodeProduction

PMBT2222AYS-Q	NEXPERIA	获取价格			40 V, 600 mA, double NPN switching transistorProduction

PMEG4005CEA-Q	NEXPERIA	获取价格			40 V, 0.5 A low VF Schottky barrier rectifierProduction

PBSS4041NX-Q	NEXPERIA	获取价格			60 V, 6.2 A NPN low VCEsat transistorDevelopment

MMBTA92-Q	NEXPERIA	获取价格			PNP high-voltage transistorProduction

PMEG6020CER-Q	NEXPERIA	获取价格			60 V, 2 A Schottky barrier rectifierProduction