Nexperia (安世) 更新时间:2024-04-09 19:02:45
Nexperia总部位于荷兰,是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司,目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者,Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。 Nexperia为全球客户提供服务,每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面成为行业基准,获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证,充分体现了公司对于创新、高效和满足行业严苛要求的坚定承诺。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
PXN012-100QL | NEXPERIA | 获取价格 | N-channel 100 V, 12 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33Production | |||
PMEG6020EXE | NEXPERIA | 获取价格 | 60 V, 2 A Schottky barrier rectifierProduction | |||
PBSS303PX-Q | NEXPERIA | 获取价格 | 30 V, 5.1 A PNP low VCEsat transistorProduction | |||
PMEG4030EXE | NEXPERIA | 获取价格 | 40 V, 3 A Schottky barrier rectifierProduction | |||
BCW89-Q | NEXPERIA | 获取价格 | 60 V, 100 mA PNP general purpose transistorProduction | |||
PBSS4021PZ-Q | NEXPERIA | 获取价格 | 20 V, 6.6 A PNP low VCEsat transistorProduction | |||
PBSS5540X-Q | NEXPERIA | 获取价格 | 40 V, 5 A PNP low VCEsat transistorProduction | |||
MMBZ12VAT-Q | NEXPERIA | 获取价格 | Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |||
74HC9115D-Q100 | NEXPERIA | 获取价格 | Nine wide Schmitt trigger buffer; open drain outputsProduction | |||
PBSS5160DS-Q | NEXPERIA | 获取价格 | 60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat transistorProduction | |||
PDTC123YQB-Q | NEXPERIA | 获取价格 | Production | |||
BUK9D120-60P | NEXPERIA | 获取价格 | 60 V, P-channel Trench MOSFETProduction | |||
PBSS301PX-Q | NEXPERIA | 获取价格 | 12 V, 5.3 A PNP low VCEsat transistorProduction | |||
74LVC86APW-Q100 | NEXPERIA | 获取价格 | Quad 2-input EXCLUSIVE-OR gateProduction | |||
PBHV8115X-Q | NEXPERIA | 获取价格 | 150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat transistorProduction | |||
BCV49-Q | NEXPERIA | 获取价格 | NPN Darlington transistorProduction | |||
MMBZ33VA-T | NEXPERIA | 获取价格 | Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |||
PESD12VS2UT | NEXPERIA | 获取价格 | Double ESD protection diodeProduction | |||
BUK7Y1R0-40N | NEXPERIA | 获取价格 | N-channel 40 V, 0.97 mOhm, Standard level MOSFET in LFPAK56Production | |||
PESD2CANFD36LQC-Q | NEXPERIA | 获取价格 | Extremely low clamping bidirectional ESD protection diodeProduction | |||
PMEG10020ELXE-Q | NEXPERIA | 获取价格 | 100 V, 2 A low leakage current Schottky barrier rectifierProduction | |||
PMEG2020CER | NEXPERIA | 获取价格 | 20 V, 2 A Schottky barrier rectifierProduction | |||
PMEG3020EXE | NEXPERIA | 获取价格 | 30 V, 2 A Schottky barrier rectifierProduction | |||
PMEG4002EJ-Q | NEXPERIA | 获取价格 | 40 V, 200 mA low VF Schottky barrier rectifierProduction | |||
PBSS4140DPN-Q | NEXPERIA | 获取价格 | 40 V low VCEsat NPN/PNP transistorProduction | |||
BAV170QA-Q | NEXPERIA | 获取价格 | Dual common cathode low-leakage diodeProduction | |||
MMBZ10VAT-Q | NEXPERIA | 获取价格 | Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |||
PMEG3020CER-Q | NEXPERIA | 获取价格 | 30 V, 2 A Schottky barrier rectifierProduction | |||
PMBT3946YPN-Q | NEXPERIA | 获取价格 | 40 V, 200 mA NPN/PNP general-purpose double transistorProduction | |||
PMEG6030CER | NEXPERIA | 获取价格 | 60 V, 3 A Schottky barrier rectifierProduction |
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