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Nexperia (安世) 更新时间：2024-04-09 19:01:39

Nexperia总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。 Nexperia为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效和满足行业严苛要求的坚定承诺。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

PTVS6V3Z1UCL	NEXPERIA	获取价格			Transient Voltage SuppressorProduction

PMDPB30XNA	NEXPERIA	获取价格			20 V, dual N-channel Trench MOSFETProduction

74HC75D-Q100	NEXPERIA	获取价格			Quad bistable transparent latchProduction

PESD5V0L2UU-Q	NEXPERIA	获取价格			Low capacitance unidirectional ESD protection diodeProduction

PMEG3020EXE-Q	NEXPERIA	获取价格			30 V, 2 A Schottky barrier rectifierProduction

BF620-Q	NEXPERIA	获取价格			NPN high-voltage transistorProduction

PESD24VS2UAT-Q	NEXPERIA	获取价格			Double ESD protection diode in SOT23 packageProduction

PMEG4030CER-Q	NEXPERIA	获取价格			40 V, 3 A Schottky barrier rectifierProduction

PBHV8115Z-Q	NEXPERIA	获取价格			150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat transistorProduction

MMBZ16VAT-Q	NEXPERIA	获取价格			Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction

BAT46GW-Q	NEXPERIA	获取价格			100 V, 250 mA Schottky barrier diodeProduction

PESD4USB5BBTTS-Q	NEXPERIA	获取价格			Extremely low capacitance bidirectional ESD protection diode arrayProduction

PESD3V3T1BL-Q	NEXPERIA	获取价格			Bidirectional ESD protection diodeProduction

PBSS305NX-Q	NEXPERIA	获取价格			80 V, 4.6 A NPN low VCEsat transistorProduction

PESD32VF1BALS-Q	NEXPERIA	获取价格			Ultra-low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction

HEF4521BT-Q100	NEXPERIA	获取价格			24-stage frequency divider and oscillatorProduction

PBHV8540Z-Q	NEXPERIA	获取价格			500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat transistorProduction

BAV199QC-Q	NEXPERIA	获取价格			Low-leakage double diodeProduction

PMEG10020ELXE	NEXPERIA	获取价格			100 V, 2 A low leakage current Schottky barrier rectifierProduction

74HC423D-Q100	NEXPERIA	获取价格			Dual retriggerable monostable multivibrator with resetProduction

PMEG10010ELXE-Q	NEXPERIA	获取价格			100 V, 1 A low leakage current Schottky barrier rectifierProduction

PSMNR70-40YSN	NEXPERIA	获取价格			N-channel 40 V, 0.81 mOhm, 320 A standard level MOSFET in LFPAK56E using NextPower-S3 Scho

BSS138AKW-Q	NEXPERIA	获取价格			60 V, N-channel Trench MOSFETProduction

PMEG6010EXE	NEXPERIA	获取价格			60 V, 1 A Schottky barrier rectifierProduction

PDTA123EU-Q	NEXPERIA	获取价格			PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ

PESD2ETH100T-Q	NEXPERIA	获取价格			ESD protection for in-vehicle networksProduction

PIMN32PAS-Q	NEXPERIA	获取价格			50 V, 500 mA NPN/NPN Resistor-Equipped double

74LVC10APW-Q100	NEXPERIA	获取价格			Triple 3-input NAND gateProduction

BXK9Q29-60A	NEXPERIA	获取价格			60 V, N-channel Trench MOSFETProduction

PMEG2010AEH-Q	NEXPERIA	获取价格			20 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction