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PNA1102L

更新时间： 2024-10-14 23:28:59

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描述
光デバイス－受光素子－フォトトランジスタ

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PNA1102L 数据手册

フォトトランジスタ

PNA1102L

シリコンNPNフォトトランジスタ

Unit : mm

φ3.0 0.ꢀ

各種光制御機器用

■ 特ꢀ長

•

高感度

指向感度特性が広く使いやすい

応答速度が速い: t_r, t_f= 3 µs (typ.)

φ0.3 0.05

φ0.45 0.05

0.9 0.ꢁ5

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

コレクタ・エミッタ電圧

エミッタ・コレクタ電圧

コレクタ電流

記号

V_CEO

V_ECO

I_C

定格

単位

ꢀ

ꢁ

1 : Collector

2 : Emitter

°C

CTRLR102-001 Package

コレクタ損失

P_C

動作周囲温度

T_opr

T_stg

−25 ∼ +85

−30 ∼ +100

保存温度

°C

■ 電気的特性 • 光学的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

I_CEO

I_CE(L)

λ_P

条件

最小標準

最大

単位

µA

暗電流

V_CE= 10 V

500

光電流 ^*

V_CE= 10 V, L = 2 lx

ピーク感度波長

半値角

V_CE= 10 V

800

光電流が50%となる角度

V_CC= 10 V, I_CE(L)= 5 mA, R_L= 100 Ω

I_CE(L)= 1 mA, L = 1000 lx

応答時間 ^*

t_r, t_f

V_CE(sat)

µs

コレクタ飽和電圧

0.2

0.5

注) 1. 分光感度特性 : 400 nmを越える波長における感度の最大感度に対する比率は100%です

2. 本製品は耐放射線を考慮した設計ではありません

3. 1 : 光源はタングステンランプ(色温度 T = 2 856K)で測定

2 : スイッチングタイム測定回路

Sig. in

V_CC

t_r: 上昇時間�

t_f下降時間�

(入力パルス)

(出力パルス)

PNA1102L

90%

10%

Sig. out

R_L

50 Ω

t_r

t_f

発行年月 : 2002年4月

SHE00051AJD

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PNA1401	ETC	获取价格	PHOTOTRANSISTOR \| NPN \| 800NM PEAK WAVELENGTH \| 50M \| CAN-5.5
PNA1401L	ETC	获取价格	PHOTOTRANSISTOR \| NPN \| 800NM PEAK WAVELENGTH \| 50M \| CAN-5.8
PNA1401L(PN101)	ETC	获取价格	PNA1401L (PN101) - Silicon NPN Phototransistor
PNA1401LF	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN Phototransistors
PNA1601	ETC	获取价格	PHOTOTRANSISTOR \| NPN \| 850NM PEAK WAVELENGTH \| 20M \| LED-7B
PNA1601M	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN Phototransistor
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