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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.22 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.08 A | 集电极-发射极最大电压： | 6 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 500 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 60 ns | 最大开启时间（吨）： | 25 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PN3639-5T1 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 6V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-5T1, 3 |
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| PN3639APM | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 6V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| PN3639APMLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 6V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| PN3639APPLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 6V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| PN3639LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| PN3639TRC | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 6V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| PN3639TRD | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| PN3639TRE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 6V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| PN3639TRELEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 6V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| PN3639TRH | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 6V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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