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PN3639TRE

更新时间: 2024-11-13 18:21:35
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1页 73K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 6V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

PN3639TRE 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.22集电极-发射极最大电压:6 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):500 MHz最大关闭时间(toff):60 ns
Base Number Matches:1

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