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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.725 A | 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMGD290UCEAX | NXP |
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PMGD290UCEA - 20 / 20 V, 725 / 500 mA N/P-channel Trench MOSFET TSSOP 6-Pin |
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| PMGD290XN | NXP |
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Dual N-channel mTrenchMOS extremely low level FET |
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| PMGD290XN,115 | NXP |
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PMGD290XN - Dual N-channel TrenchMOS extremely low level FET TSSOP 6-Pin |
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| PMGD370XN | NXP |
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Dual N-channel mTrenchMOS extremely low level FET |
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| PMGD370XN,115 | NXP |
获取价格 |
PMGD370XN - Dual N-channel TrechMOS extremely low level FET TSSOP 6-Pin |
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| PMGD400UN | NXP |
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Dual N-channel mTrenchMOS ultra low level FET |
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| PMGD400UN,115 | NXP |
获取价格 |
Dual N-channel TrenchMOS ultra low level FET TSSOP 6-Pin |
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| PMGD-50 | PMI |
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GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS |
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| PMGD-51 | PMI |
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GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS |
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| PMGD-52 | PMI |
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GATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERS |
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