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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> PMF780SN
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PMF780SN

更新时间： 2024-11-13 22:49:03
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恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 89K
描述
N-channel uTrenchMOS standard level FET

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PMF780SN 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-70
包装说明：PLASTIC, SC-70, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.22Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.57 A最大漏极电流 (ID)：0.57 A
最大漏源导通电阻：0.92 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.56 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PMF780SN 数据手册

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PMF780SN  
N-channel µTrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 01 — 10 February 2004  
Product data  
M3D102  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology.  
1.2 Features  
■ Surface mounted package  
■ Low on-state resistance  
■ Footprint 40% smaller than SOT23  
■ Fast switching.  
1.3 Applications  
■ Driver circuits  
■ Switching in portable appliances.  
1.4 Quick reference data  
■ VDS ≤ 60 V  
■ ID ≤ 0.57 A  
■ Ptot ≤ 0.56 W  
■ RDSon ≤ 920 mΩ.  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pinning - SOT323 (SC-70), simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
d
3
2
source (s)  
drain (d)  
3
g
1
2
s
MBB076  
MBC870  
Top view  
SOT323 (SC-70)  
1234567...12

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PMF780SN 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PMF780SN,115 NXP

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