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PMFPB6545UP PDF预览

PMFPB6545UP

更新时间： 2024-11-14 19:55:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
18页 219K
描述
TRANSISTOR 3500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA THIN, PLASTIC, HUSON-6, FET General Purpose Small Signal

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PMFPB6545UP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：0.09 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PMFPB6545UP 数据手册

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PMFPB6545UP  
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20 V, 3.5 A / 440 mV VF P-channel MOSFET-Schottky  
combination  
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Rev. 2 — 4 June 2012  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using Trench  
MOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA)  
Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118)  
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
1.2 Features and benefits  
Trench MOSFET technology  
Integrated ultra low VF MEGA Schottky diode  
1 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protection  
Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 × 2 × 0.65 mm  
Exposed drain pad for excellent thermal conduction  
1.3 Applications  
Charging switch for portable devices  
DC-to-DC converters  
Power management in battery-driven portables  
Hard disk and computing power management  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
MOSFET transistor  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VDS  
VGS  
ID  
drain-source voltage  
Tamb = 25 °C  
Tamb = 25 °C  
-
-
-
-
-
-
−20  
8
V
V
A
gate-source voltage  
drain current  
[1]  
[2]  
Tamb = 25 °C;  
VGS = −4.5 V  
−3.5  
RDSon  
drain-source on-state  
resistance  
Tj = 25 °C;  
-
58  
70  
mΩ  
V
GS = −4.5 V;  
ID = −1 A  
 
 
 
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PMFPB6545UP,115 NXP

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 		PMFPB6545UP - 20 V, 3.5 A / 440 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combination DFN 6-Pin
PMFPB8032XP NXP

获取价格

 		20 V, 3.7 A / 320 mV VF P-channel MOSFET-Schottky
PMFPB8032XP_15 NXP

获取价格

 		20 V, 3.7 A / 320 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combination
PMFR2502 FCI

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 		25.0 Amp MOTOROLA TYPE AUTO PRESSFIT High surge current capability
PMFR2502-2506 FCI-CONNECTOR

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