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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.13 V | 最大非重复峰值正向电流： | 10 A |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大重复峰值反向电压： | 10 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMEG1030EJ,115 | NXP |
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PMEG1030EH; PMEG1030EJ - 10 V, 3 A ultra low V_F MEGA Schottky barrier rectifiers SOD 2-Pi |
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| PMEG1030EJ,135 | NXP |
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DIODE 3 A, 10 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, SC-90, 2 PIN, Rectifier Diode |
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| PMEG1030EJ115 | NXP |
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10 V, 3 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers |
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| PMEG1030EJ-Q | NEXPERIA |
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10 V, 3 A ultra low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG1201AESF,315 | NXP |
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Rectifier Diode |
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| PMEG120G10ELR | NEXPERIA |
获取价格 |
120 V, 1 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction |
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| PMEG120G10ELR-Q | NEXPERIA |
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120 V, 1 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction |
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| PMEG120G20ELP | NEXPERIA |
获取价格 |
120 V, 2 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction |
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| PMEG120G20ELP-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
120 V, 2 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction |
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| PMEG120G20ELR | NEXPERIA |
获取价格 |
120 V, 2 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction |
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