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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-90 |
| 包装说明： | PLASTIC, SC-90, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.38 |
| 应用： | EFFICIENCY | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 9 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.83 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 10 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMEG1030EJ115 | NXP |
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10 V, 3 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers |
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| PMEG1030EJ-Q | NEXPERIA |
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10 V, 3 A ultra low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG1201AESF,315 | NXP |
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Rectifier Diode |
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| PMEG120G10ELR | NEXPERIA |
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120 V, 1 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction |
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| PMEG120G10ELR-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
120 V, 1 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction |
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| PMEG120G20ELP | NEXPERIA |
获取价格 |
120 V, 2 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction |
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| PMEG120G20ELP-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
120 V, 2 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction |
|
| PMEG120G20ELR | NEXPERIA |
获取价格 |
120 V, 2 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction |
|
| PMEG120G20ELR-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
120 V, 2 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction |
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| PMEG120G30ELP | NEXPERIA |
获取价格 |
120 V, 3 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction |
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