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PMEG1030EH

更新时间: 2024-02-02 03:13:13
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恩智浦 - NXP 晶体整流二极管晶体管光电二极管功效PC
页数 文件大小 规格书
12页 956K
描述
Low VCEsat (BISS) transistors

PMEG1030EH 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.72Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.13 V最大非重复峰值正向电流:10 A
元件数量:1最高工作温度:150 °C
最大重复峰值反向电压:10 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
Base Number Matches:1

PMEG1030EH 数据手册

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