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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOD | 包装说明： | PLASTIC, SC-90, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 7.5 |
| 应用： | EFFICIENCY | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.13 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 9 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 2 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.83 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 10 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMEG1020EJ-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
10 V, 2 A ultra low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG1020EV | NXP |
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Ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifier |
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| PMEG1030EH | NXP |
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Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PMEG1030EH | NEXPERIA |
获取价格 |
10 V, 3 A ultra low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG1030EH,115 | NXP |
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PMEG1030EH; PMEG1030EJ - 10 V, 3 A ultra low V_F MEGA Schottky barrier rectifiers SOD-123 |
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| PMEG1030EH_10 | NXP |
获取价格 |
10 V, 3 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers |
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| PMEG1030EH-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
10 V, 3 A ultra low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG1030EJ | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PMEG1030EJ | NEXPERIA |
获取价格 |
10 V, 3 A ultra low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG1030EJ,115 | NXP |
获取价格 |
PMEG1030EH; PMEG1030EJ - 10 V, 3 A ultra low V_F MEGA Schottky barrier rectifiers SOD 2-Pi |
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