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PMEG1020EV

更新时间: 2024-09-22 22:44:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
7页 54K
描述
Ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifier

PMEG1020EV 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.39Is Samacsys:N
应用:EFFICIENCY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.13 VJESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:9 A元件数量:1
相数:1端子数量:6
最高工作温度:150 °C最大输出电流:2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:10 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

PMEG1020EV 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMEG1020EV  
Ultra low VF MEGA Schottky barrier  
rectifier  
Product specification  
2003 Jul 15  

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