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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.67 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 170845 | Samacsys Pin Count： | 2 |
| Samacsys Part Category： | Diode | Samacsys Package Category： | Small Outline Diode |
| Samacsys Footprint Name： | SOD123F | Samacsys Released Date： | 2016-04-21 03:37:35 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | EFFICIENCY |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 9 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.83 W | 最大重复峰值反向电压： | 10 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMEG1030EH,115 | NXP |
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PMEG1030EH; PMEG1030EJ - 10 V, 3 A ultra low V_F MEGA Schottky barrier rectifiers SOD-123 |
|
| PMEG1030EH_10 | NXP |
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10 V, 3 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers |
|
| PMEG1030EH-Q | NEXPERIA |
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10 V, 3 A ultra low VF Schottky barrier rectifierProduction |
|
| PMEG1030EJ | NXP |
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Low VCEsat (BISS) transistors |
|
| PMEG1030EJ | NEXPERIA |
获取价格 |
10 V, 3 A ultra low VF Schottky barrier rectifierProduction |
|
| PMEG1030EJ | KEXIN |
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Schottky Diodes |
|
| PMEG1030EJ,115 | NXP |
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PMEG1030EH; PMEG1030EJ - 10 V, 3 A ultra low V_F MEGA Schottky barrier rectifiers SOD 2-Pi |
|
| PMEG1030EJ,135 | NXP |
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DIODE 3 A, 10 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, SC-90, 2 PIN, Rectifier Diode |
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| PMEG1030EJ115 | NXP |
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10 V, 3 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers |
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| PMEG1030EJ-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
10 V, 3 A ultra low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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