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PM5075N

更新时间: 2024-02-15 18:44:12
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其他 - ETC 晶体电源电路晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 56K
描述
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 75A I(D)

PM5075N 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大漏极电流 (Abs) (ID):75 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量:1最高工作温度:150 °C
最大功率耗散 (Abs):350 W子类别:FET General Purpose Power

PM5075N 数据手册

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