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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 350 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PM5075N | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 75A I(D) |
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| PM509 | ETC |
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Analog IC |
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| PM509BA | NIKOSEM |
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SOT-23(S) |
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| PM509D | ETC |
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Analog IC |
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| PM509DS | ETC |
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Analog IC |
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| PM509K | ETC |
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Analog IC |
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| PM509KS | ETC |
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Analog IC |
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| PM509S | ETC |
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Analog IC |
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| PM50B4L1C060 | MITSUBISHI |
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INTELLIGENT POWER MODULES |
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| PM50B4LA060 | MITSUBISHI |
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FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE |
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