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PHT6N06LT,135 PDF预览

PHT6N06LT,135

更新时间： 2024-11-11 19:56:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
9页 55K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET SC-73 4-Pin

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PHT6N06LT,135 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SC-73针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.15
雪崩能效等级（Eas）：15 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 A最大漏极电流 (ID)：2.5 A
最大漏源导通电阻：0.15 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：50 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：8.3 W
最大功率耗散 (Abs)：1.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：76 ns
最大开启时间（吨）：77 nsBase Number Matches：1

PHT6N06LT,135 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Logic level FET  
PHT6N06LT  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
logic level field-effect power  
SYMBOL PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
transistor in a plastic envelope  
suitable for surface mounting.  
The device features very low  
on-state resistance and has  
integral zener diodes giving  
ESDprotection. Itisintendedfor  
use in DC-DC converters and  
general purpose switching  
applications.  
VDS  
ID  
Drain-source voltage  
55  
5.5  
2.5  
8.3  
150  
150  
V
A
A
W
˚C  
mΩ  
Drain current (DC) Tsp = 25 ˚C  
Drain current (DC) Tamb = 25 ˚C  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Ptot  
Tj  
RDS(ON)  
Drain-source on-state  
resistance  
VGS = 5 V  
PINNING - SOT223  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
4
gate  
2
drain  
g
3
source  
4
drain (tab)  
s
2
3
1
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55  
55  
V
V
V
A
A
A
A
A
A
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
RGS = 20 kΩ  
-
±13  
5.5  
2.5  
3.8  
1.75  
22  
Tsp = 25 ˚C  
Tamb = 25 ˚C  
Tsp = 100 ˚C  
Tamb = 100 ˚C  
Tsp = 25 ˚C  
Tamb = 25 ˚C  
Tsp = 25 ˚C  
Tamb = 25 ˚C  
-
ID  
Drain current (DC)  
IDM  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
-
-
-
10  
Ptot  
8.3  
1.8  
150  
W
W
˚C  
Tstg, Tj  
Storage & operating temperature  
- 55  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor  
voltage  
Human body model  
(100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
January 1998  
1
Rev 1.100  
1234567...9

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PHT6N06LT,135 替代型号

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PHT6N06T NXP

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