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PHP32N06LT

更新时间： 2024-02-09 12:51:40
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 257K
描述
N-channel enhancement mode field effect transistor

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PHP32N06LT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：34 A
最大漏极电流 (ID)：34 A最大漏源导通电阻：0.043 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：97 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：136 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PHP32N06LT 数据手册

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PHP32N06LT; PHB32N06LT  
N-channel enhancement mode field effect transistor  
Rev. 01 — 06 November 2001  
Product data  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™1 technology.  
Product availability:  
PHP32N06LT in SOT78 (TO220AB)  
PHB32N06LT in SOT404 (D2-PAK).  
2. Features  
■ TrenchMOS™ technology  
■ Logic level compatible.  
3. Applications  
■ General purpose switching  
■ Switched mode power supplies.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT78 (TO-220AB), SOT404 (D2-PAK), simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
d
s
mb  
mb  
[1]  
2
drain (d)  
3
source (s)  
g
mb  
mounting base;  
connected to drain (d)  
MBB076  
2
1
3
MBK116  
MBK106  
1
2 3  
SOT78 (TO-220AB)  
SOT404 (D2-PAK)  
[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.  
1. TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.  
1234567...13

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