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PHC21025/T3

更新时间： 2024-01-21 21:23:17

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	240K
描述
TRANSISTOR 3500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, MS-012, SOP-8, FET General Purpose Small Signal

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PHC21025/T3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHC21025/T3 数据手册

PHC21025

NXP Semiconductors

Complementary intermediate level FET

5. Thermal characteristics

Table 5.

Symbol

R_th(j-sp)

Thermal characteristics

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

thermal resistance from junction to solder

point

K/W

mbe152

(K/W)

th j-s

δ =

0.75

0.5

0.33

0.2

0.1

0.05

δ =

0.02

0.01

−1

−6

−5

−4

−3

−2

−1

(s)

Fig 4. Transient thermal impedance from junction to solder point as a function of pulse duration

PHC21025

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Product data sheet

Rev. 04 — 17 March 2011

5 of 16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHC21025T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 3500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA,
PHC21025-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET Genera
PHC21025-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET Genera
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