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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.67 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 4 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 140 ns | 最大开启时间（吨）： | 40 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| PHC21025-TAPE-7 | NXP | TRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET Genera |
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| PHC2250 | NXP | TRANSISTOR 3.5 A, 250 V, 7 ohm, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Po |
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| PHC2300 | NXP | Complementary enhancement mode MOS transistors |
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| PHC2300,118 | NXP | PHC2300 - Complementary enhancement mode MOS transistors SOIC 8-Pin |
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| PHC2300/T3 | NXP | TRANSISTOR 340 mA, 300 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, |
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| PHC2300112 | NXP | TRANSISTOR 340 mA, 300 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, |
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