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PHC2300

更新时间: 2024-09-22 22:26:35
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 161K
描述
Complementary enhancement mode MOS transistors

PHC2300 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOIC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.09配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:300 V最大漏极电流 (ID):0.34 A
最大漏源导通电阻:6 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:MS-012AAJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PHC2300 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PHC2300  
Complementary enhancement  
mode MOS transistors  
1997 Oct 24  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Jun 19  
File under Discrete Semiconductors, SC13b  

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