PHC21025

更新时间： 2024-01-31 03:42:36

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
16页	165K
描述
Complementary enhancement mode MOS transistors

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PHC21025 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

PHC21025

Complementary enhancement

mode MOS transistors

1997 Jun 20

Product speciﬁcation

Supersedes data of November 1994

File under Discrete Semiconductors, SC13b

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PHC21025,118	NXP	PHC21025 - Complementary intermediate level FET SOIC 8-Pin	获取价格
PHC21025/T3	NXP	TRANSISTOR 3500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA,	获取价格
PHC21025T/R	NXP	TRANSISTOR 3500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA,	获取价格
PHC21025-TAPE-13	NXP	TRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET Genera	获取价格
PHC21025-TAPE-7	NXP	TRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET Genera	获取价格
PHC2250	NXP	TRANSISTOR 3.5 A, 250 V, 7 ohm, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Po	获取价格