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PHB14NQ20T

更新时间： 2024-01-11 20:28:48

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	66K
描述
TrenchMOS transistor

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PHB14NQ20T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
雪崩能效等级（Eas）：	70 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.23 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHB14NQ20T 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

TrenchMOS transistor

PHP14NQ20T, PHB14NQ20T

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• ’Trench’ technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

V_DSS= 200 V

I_D= 14 A

R_DS(ON)≤ 230 mΩ

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device

hasvery lowon-state resistance. Itisintended for usein dc to dc converters and general purposeswitching applications.

The PHP14NQ20T is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The PHB14NQ20T is supplied in the SOT404 (D²PAK) surface mounting package.

PINNING

SOT78 (TO220AB)

SOT404 (D²PAK)

DESCRIPTION

tab

gate

drain¹

source

drain

tab

1 2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Continuous drain current

T_j= 25 ˚C to 175˚C

T_j= 25 ˚C to 175˚C; R_GS= 20 kΩ

200

± 20

˚C

T_mb= 25 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 100 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 25 ˚C

I_DM

P_D

T_j, T_stg

Pulsed drain current

Total power dissipation

Operating junction and

storage temperature

T_mb= 25 ˚C

125

175

- 55

1 It is not possible to make connection to pin:2 of the SOT404 package

October 1999

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7...10

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