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PF58F0031M0Y1BE

更新时间： 2024-11-21 20:02:31

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英特尔 - INTEL		/
页数	文件大小	规格书
71页	1607K
描述
Flash, 64MX16, PBGA105, 11 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, SCSP-105

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PF58F0031M0Y1BE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	11 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, SCSP-105
针数：	105	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.75	最大时钟频率 (fCLK)：	108 MHz
JESD-30 代码：	R-PBGA-B105	JESD-609代码：	e1
长度：	15 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	105	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	64MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
类型：	NAND TYPE	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

PF58F0031M0Y1BE 数据手册

Intel StrataFlash Cellular Memory (M18)

Datasheet

Product Features

High-Performance Read, Program and Erase

Power

— Core voltage: 1.7 V - 2.0 V

— 96 ns initial read access

— 512-Mbit, 1-Gbit device: 108 MHz with zero

wait-state synchronous burst reads: 7 ns

clock-to-data output

— 256-Mbit device: 133 MHz with zero wait-

state synchronous burst reads: 5.5 ns

clock-to-data output

— 8-, 16-, and continuous-word

synchronous-burst Reads

— Programmable WAIT configuration

— Customer-configurable output driver

impedance

— Buffered Enhanced Factory Programming:

3.2 µs/Word (typ), 65 nm;

— I/O voltage: 1.7 V - 2.0 V

— Standby current: 70 µA (typ), 65 nm

— Standby current: 50 µA (typ), 90 nm

— Deep Power-Down mode: 2 µA (typ)

— Automatic Power Savings mode

— 16-word synchronous-burst read current:

23 mA (typ) @ 108 MHz

Software

— Intel^®Flash Data Integrator (Intel^®FDI)

optimized

— Basic Command Set and Extended

Command Set compatible

— Common Flash Interface

4.2 µs/Word (typ), 90 nm

— Block Erase: 0.9 s per block (typ)

— 20 µs (typ) program suspend

Security

— OTP Registers:

64 unique pre-programmed bits

2112 user-programmable bits

— 20 µs (typ) erase suspend

Architecture

— Absolute write protection with V_PP= GND

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

— 16-bit wide data bus

— Multi-Level Cell Technology

— Symmetrically-Blocked Array Architecture

— 256-Kbyte Erase Blocks

— 1-Gbit device: Eight 128-Mbit partitions

— 512-Mbit device: Eight 64-Mbit partitions

— 256-Mbit device: Eight 32-Mbit partitions.

— Read-While-Program and Read-While-Erase

— Status Register for partition/device status

— Blank Check feature

Density and Packaging

— Density: 1 Gbit, 512 Mbit, 256 Mbit

— Address-data multiplexed and non-

multiplexed interfaces

— x16D (105-ball) Flash SCSP

— x16C (107-ball) Flash SCSP

— 0.8 mm pitch lead-free solder-ball

Quality and Reliability

— Expanded temperature: –30 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ X Process Technology (65 nm)

— ETOX™ IX Process Technology (90 nm)

Document Number: 309823-005US

November 2006

12 3 4 5 6 7...71

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