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PF48F5000M0YWB0

更新时间： 2024-01-20 05:00:54

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恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
141页	2256K
描述
Flash, 32MX16, 96ns, PBGA105,

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PF48F5000M0YWB0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA105,9X12,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	最长访问时间：	96 ns
启动块：	TOP	命令用户界面：	NO
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B105	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
部门数/规模：	256	端子数量：	105
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA105,9X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	部门规模：	128K
最大待机电流：	0.00003 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

PF48F5000M0YWB0 数据手册

M18 Discrete

1.0

Introduction

Numonyx StrataFlash^®Cellular Memory is the sixth generation Numonyx StrataFlash^®

memory with multi-level cell (MLC) technology. It provides high-performance, low-

power synchronous-burst read mode and asynchronous read mode at 1.8 V. It features

flexible, multi-partition read-while-program and read-while-erase capability, enabling

background programming or erasing in one partition simultaneously with code

execution or data reads in another partition. The eight partitions allow flexibility for

system designers to choose the size of the code and data segments. The Numonyx

StrataFlash^®Cellular Memory is manufactured using Numonyx 65 nm ETOX* X and 90

nm ETOX* IX process technology and is available in industry-standard chip-scale

packaging.

1.1

Document Purpose

This document describes the specifications of the Numonyx StrataFlash® Cellular

Memory device.

1.2

Nomenclature

Table 1:

Definition of Terms

Term

Definition

1.8 V

Refers to VCC and VCCQ voltage range of 1.7 V to 2.0 V

Block

A group of bits that erase with one erase command

Main Array

A group of 256-KB blocks used for storing code or data

Partition

A group of blocks that share common program and erase circuitry and command status register

Programming Region

An aligned 1-KB section within the main array

Segment

Byte

Word

A 32-byte section within the programming region

8 bits

2 bytes = 16 bits

1024 bits

1024 bytes

1024 words

1,048,576 bits

1,048,576 bytes

1.3

Acronyms

Table 2:

List of Acronyms

Acronym

Meaning

APS

CFI

Automatic Power Savings

Common Flash Interface

Don’t Use

ECR

Enhanced Configuration Register (Flash)

December 2007

Order Number: 309823-11

Datasheet

1...4 5 678 9 10...141

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