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PF48F6000M0Y1BE

更新时间： 2024-01-26 19:34:35

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恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
139页	2131K
描述
Flash, 64MX16, 96ns, PBGA105,

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PF48F6000M0Y1BE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FBGA, BGA105,9X12,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	最长访问时间：	96 ns
命令用户界面：	NO	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B105
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	部门数/规模：	512
端子数量：	105	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	64MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA105,9X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	页面大小：	16 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	部门规模：	128K
最大待机电流：	0.00003 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.046 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

PF48F6000M0Y1BE 数据手册

Numonyx™ StrataFlash Cellular Memory

(M18)

Datasheet

Product Features

High-Performance Read, Program and Erase

Power

— Core voltage: 1.7 V - 2.0 V

— 96 ns initial read access

— 108 MHz with zero wait-state synchronous

burst reads: 7 ns clock-to-data output

— 133 MHz with zero wait-state synchronous

burst reads: 5.5 ns clock-to-data output

— 8-, 16-, and continuous-word

synchronous-burst Reads

— Programmable WAIT configuration

— Customer-configurable output driver

impedance

— Buffered Programming:

— I/O voltage: 1.7 V - 2.0 V

— Standby current: 60 µA (typ) for 512-Mbit,

65 nm

— Deep Power-Down mode: 2 µA (typ)

— Automatic Power Savings mode

— 16-word synchronous-burst read current:

23 mA (typ) @ 108 MHz; 24 mA (typ) @

133 MHz

Software

— Numonyx™ Flash Data Integrator

(Numonyx™ FDI) optimized

— Basic Command Set and Extended

Command Set compatible

2.0 µs/Word (typ), 512-Mbit 65 nm;

Block Erase: 0.9 s per block (typ)

— 20 µs (typ) program/erase suspend

Architecture

— Common Flash Interface

— 16-bit wide data bus

— Multi-Level Cell Technology

Security

— OTP Registers:

— Symmetrically-Blocked Array Architecture

— 256-Kbyte Erase Blocks

64 unique pre-programmed bits

2112 user-programmable bits

— Absolute write protection with V_PP= GND

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

— 1-Gbit device: Eight 128-Mbit partitions

— 512-Mbit device: Eight 64-Mbit partitions

— 256-Mbit device: Eight 32-Mbit partitions.

— 128-Mbit device: Eight 16-Mbit partitions.

— Read-While-Program and Read-While-Erase

— Status Register for partition/device status

— Blank Check feature

Density and Packaging

— Density: 128-, 256-, and 512-Mbit, and 1-

Gbit

— Address-data multiplexed and non-

multiplexed interfaces

— x16D (105-ball) Flash SCSP

— x16C (107-ball) Flash SCSP

— 0.8 mm pitch lead-free solder-ball

Quality and Reliability

— Expanded temperature: –30 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ X Process Technology (65 nm)

— ETOX™ IX Process Technology (90 nm)

Order Number: 309823-11

April 2008

12 3 4 5 6 7...139

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