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PESD5V0X1ULD

更新时间： 2024-11-19 11:13:39
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 222K
描述
Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodeProduction

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PESD5V0X1ULD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.62
Is Samacsys：N最大击穿电压：10 V
最小击穿电压：5.8 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-N2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性：UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压：5.5 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

PESD5V0X1ULD 数据手册

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PESD5V0X1ULD  
Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diode  
1 April 2023  
Product data sheet  
1. General description  
Ultra low capacitance unidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode designed to  
protect one signal line from the damage caused by ESD and other transients.  
The device is housed in a SOD882D leadless ultra small Surface-Mounted Device (SMD) plastic  
package with visible and solderable side pads.  
The combination of extremely low capacitance and ultra low clamping voltage makes the device  
ideal for high-speed data line protection applications.  
2. Features and benefits  
•
ESD protection of one line  
•
•
•
•
•
•
•
Ultra low diode capacitance Cd = 0.95 pF  
Ultra low clamping voltage: VCL = 8 V  
Ultra low leakage current: IRM = 1 nA  
ESD protection up to 8 kV  
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)  
Ultra small SMD plastic package  
Solderable tin-plated side pads  
3. Applications  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Computers and peripherals  
Audio and video equipment  
Cellular handsets and accessories  
10/100/1000 Mbit/s Ethernet  
Communication systems  
Portable electronics  
SIM card protection  
USB, High-Definition Multimedia Interface (HDMI), FireWire  
High-speed data lines  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VRWM  
reverse standoff  
voltage  
Tamb = 25 °C  
-
-
5.5  
V
Cd  
diode capacitance  
f = 1 MHz; VR = 0 V; Tamb = 25 °C  
-
0.95  
1.1  
pF  
 
 
 
 
1234567...11

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