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PESD5V2S18U

更新时间: 2024-11-08 21:54:51
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
ESD protection array

PESD5V2S18U 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SSOP包装说明:R-PDSO-G20
针数:20Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.65最大击穿电压:7.2 V
最小击穿电压:6.4 V击穿电压标称值:6.8 V
最大钳位电压:12 V配置:COMMON ANODE, 18 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:MO-150AEJESD-30 代码:R-PDSO-G20
JESD-609代码:e4最大非重复峰值反向功率耗散:100 W
元件数量:18端子数量:20
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:5.2 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

PESD5V2S18U 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PESD5V2S18U  
ESD protection array  
Product specification  
2003 Apr 28  

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